专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果35549个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]动画终止-CN201880008009.3有效
  • 刘畠;乔治·蒙特 - 谷歌有限责任公司
  • 2018-05-17 - 2022-09-16 - G06F3/0481
  • 包括在计算机存储介质上编码的计算机程序的方法、系统和装置用于:针对包括多个帧的特定动画,获取最小可见变化值,该最小可见变化值对应于特定动画的变化不可见的条件;基于最小可见变化值,确定特定动画的距动画终点的终止阈值距离和终止阈值速度;针对特定动画中的每一帧,确定距动画终点的当前距离是否满足距动画终点的终止阈值距离以及当前速度是否满足终止阈值速度;以及响应于确定距动画终点的当前距离满足距动画终点的终止阈值距离并且当前速度满足终止阈值速度而启动动画终止
  • 动画终止
  • [发明专利]早期TTT终止-CN202110253624.4在审
  • C·尤 - 苹果公司
  • 2014-09-12 - 2021-06-22 - H04W24/10
  • 本公开涉及早期TTT终止。发送的参考信号相关联的第二信号测定值;以及控制逻辑,其被配置成基于确定所述第一信号测定值小于所述第二信号测定值,启动触发时间(TTT)定时器,以及基于确定所述第一信号测定值小于第二信号测定值的量达到多于阙值,终止所述
  • 早期ttt终止
  • [发明专利]剂量终止机构-CN202280013102.X在审
  • 托比·柯维;爱德华·巴雷特 - 欧文蒙福德有限公司
  • 2022-02-03 - 2023-09-19 - A61M5/20
  • 本发明的各方面涉及一种注射装置,包括:药筒,所述药筒被布置成容纳药物和活塞;和驱动机构,所述驱动机构被布置成使所述活塞从药物被容纳在所述注射器中的第一位置和所述药物已经被从所述药筒输送给使用者的第二位置移动。所述驱动机构包括弹性部分,所述弹性部分与所述注射装置的另一部分协同工作,使得在所述驱动机构从所述第一位置到所述第二位置的移动的一部分期间所述弹性部分朝向所述注射装置的中心轴线移动,并且在所述第二位置处或附近所述弹性部分与所述注射装置的所述另一部分脱离接合以指示所述药物已经被从所述药筒输送。
  • 剂量终止机构
  • [发明专利]早期TTT终止-CN201480045721.2在审
  • C·尤 - 英特尔IP公司
  • 2014-09-12 - 2016-05-11 - H04W24/10
  • 发送的参考信号相关联的第二信号测定值;以及控制逻辑,其被配置成基于确定所述第一信号测定值小于所述第二信号测定值,启动触发时间(TTT)定时器,以及基于确定所述第一信号测定值小于第二信号测定值的量达到多于阈值,终止所述
  • 早期ttt终止
  • [发明专利]MOSFET终止沟槽-CN201380008390.0有效
  • 米斯巴赫·U·阿扎姆;凯尔·特里尔 - 威世硅尼克斯
  • 2013-02-08 - 2017-09-19 - H01L29/78
  • 一种方法,在一个实施例中,可包括在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽。所述终止沟槽比所述核心沟槽更宽。此外,可沉积填充所述核心沟槽并用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬的第一氧化物。可将第一多晶硅沉积到所述终止沟槽中。可将第二氧化物沉积在所述第一多晶硅之上。可将掩模沉积在所述第二氧化物和所述终止沟槽之上。可从所述核心沟槽移除所述第一氧化物。所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第三氧化物更厚。
  • mosfet终止沟槽
  • [发明专利]微粒过滤器再生控制系统-CN201810081966.0有效
  • 周奇;王伏;施华传;龚笑舞;顾欣;邱云;居钰生 - 中国第一汽车股份有限公司
  • 2018-01-29 - 2020-08-25 - F01N9/00
  • 本发明提供一种微粒过滤器再生控制系统,包括正常再生终止请求模块,非正常再生终止请求模块,最终再生终止确定模块;所述正常再生终止请求模块主要实现微粒过滤器经过一段时间再生后,出现任一正常终止再生的终止再生来源时,从而发出终止再生请求和对应的终止再生来源的功能;当出现任一非正常终止再生的终止再生来源时,非正常再生终止请求模块发出终止再生请求和对应的终止再生来源;最终再生终止确定模块通过收集所述正常再生终止请求模块和非正常再生终止请求模块发出的终止再生请求和对应的终止再生来源来确定当前微粒过滤器的再生活动是否终止
  • 微粒过滤器再生控制系统
  • [发明专利]半导体元件及制造方法-CN200910206805.0有效
  • P·温卡特拉曼;Z·豪森 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2009-10-21 - 2010-06-16 - H01L21/8234
  • 一种包括边缘终止结构的半导体元件和制造该半导体元件的方法。一种半导体材料具有半导体器件区和边缘终止区。可以在所述半导体器件区中形成一个或多个器件沟槽并在所述边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近于终止沟槽的底面的一部分终止沟槽中形成源电极并在邻近于终止沟槽的嘴的那部分终止沟槽中形成浮动电极终止结构。可以在所述边缘终止区中形成第二终止沟槽且可以在所述第二终止沟槽中形成非浮动电极。或者,可以省略第二终止沟槽且可以在所述边缘终止区中形成无沟槽的非浮动电极。
  • 半导体元件制造方法
  • [发明专利]MRAM存储单元写入电路及存储芯片-CN202210098641.X在审
  • 叶乐;薛畅;张奕涵;陈沛毓;武天桥;武蒙;黄如 - 北京大学;华为技术有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-06-28 - G11C11/16
  • 本发明公开一种MRAM存储单元写入电路及存储芯片,该写入电路包括:写入模块、比较模块和终止控制模块;终止控制模块根据比较结果信号生成终止控制信号,该信号通过终止控制信号输出端、第一终止控制信号输入端、第二终止控制信号输入端和第三终止控制信号输入端分别传输至写入模块、比较模块和终止控制模块。其中的比较模块可根据终止控制信号控制与直流电源之间的连接,使得在写入完成后断开与直流电源的连接,从而减小比较模块的直流功耗;而终止控制模块可根据终止控制信号锁定终止控制信号输出端的输出结果,有效防止了终止控制模块输出结果的波动,消除了该波动引起的终止控制模块的动态功耗。
  • mram存储单元写入电路芯片

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top